Samsung 990 EVO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

SAMSUNG


Article Code: OC082372 - Vendor Code: MZ-V9E1T0BW - EAN: 8806095300276


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Soluzione termica intelligente
L'etichetta del dissipatore di calore del 990 EVO facilita il controllo termico del chip NAND. L'algoritmo di controllo termico all'avanguardia di Samsung, abbinato alla tecnologia Dynamic Thermal Guard, garantisce prestazioni costanti e affidabili. Prestazioni al top, ma non a discapito del drive.

Adatto a tutto ciò che vuoi fare
Tutte le operazioni con un SSD. Migliora le tue prestazioni per rispondere alle esigenze di gaming, lavoro e creatività. Supportato dalle più recenti interfacce PCIe® 4.0 x4 e PCIe® 5.0 x2, offre flessibilità per l'informatica attuale e per quella futura. Rimani al top con questo partner a 360°.

Software Samsung Magician
Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician garantiscono le migliori prestazioni dell'SSD. È il modo più sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è al cuore di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è anche integrata nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

Performance
Velocità di lettura sequenziale più elevata, fino a 5.000 MB/s, il 43% in più rispetto al modello precedente.

Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 70% rispetto al modello precedente, che supporta il Modern Standby e una maggiore durata della batteria.

Versatilità
Migliora le prestazioni nel gaming, nel lavoro e nelle attività creative grazie alla compatibilità con PCIe® 4.0 x4 e PCIe® 5.0 x2.

Dimensioni e peso
Altezza 22 mm
Larghezza 80 mm
Peso 9 g
Profondità 2,38 mm
Gestione energetica
Consumo energetico (inattivo) 0,06 W
Tensione di esercizio 3,3 V
Consumo energetico (in sospensione) 0,005 W
Consumo di energia (in scrittura) 4,5 W
Consumo di energia (in lettura) 4,9 W
Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa) 5 mW
Altre caratteristiche
Durata della garanzia 5 anno/i
Dati su imballaggio
Tipo di imballo Scatola
Condizioni ambientali
Range di umidità di funzionamento 5 - 95%
Umidità 5 - 95%
Intervallo temperatura di funzionamento 0 - 70 °C
Shock di non-funzionamento 1500 G
Intervallo di temperatura -40 - 85 °C
Vibrazione di non-funzionamento 20 G
Shock di funzionamento 1500 G
Caratteristiche
Capacità SSD 1 TB
Dimensioni dell'unità SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Dimensione SSD M.2
Interfaccia PCI Express 4.0
Supporto S.M.A.R.T.
Supporto TRIM
Lettura casuale (4KB) 680000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB) 800000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Tipo memoria V-NAND TLC
Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)
Versione di NVMe 2.0
Revisione PCI Express CEM 4.0
Velocità di scrittura 4200 MB/s
Velocità di lettura 5000 MB/s
Classificazione per TBW 600
NVMe
Componente per PC
Linee dati dell'interfaccia PCI Express x4
Algoritmi di sicurezza supportati 256-bit AES
criptaggio hardware
Tempo medio tra guasti (MTBF) 1500000 h